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Cross-section & Planar milling system
(이온밀링기)
  • 제작사 및 모델 : Gatan(USA), 697 Ilion Ⅱ

  • 원리
    본 장비는 SEM 전처리용 장비로써 불활성 기체인 아르곤이온 혹은 원자들을 적절한 세기의 전압으로 가속시켜서 시편에 연속적으로 충돌시키면 시편 표면 원자들이 떨어져 나가는 sputtering 현상이 발생하며, 이때 주로 시편 중심부가 집중적으로 연마되어 매끄러운 표면을 얻을 수 있다. 아르곤이온 가변 전압은 2~6 keV 범위를 주로 사용한다.
    1. 물리적인 뒤틀림이 최소화된다. (EBSD분석용으로 적합)
    2. 절단 면적은 100um정도로 FIB보다 크다.
    3. Argon gas 사용으로 시료 손상이 적다.

  • 주요성능
    1. Ion Beam Energy : 100V~ 8kV
    2. Ion Current Density : 10mA/cm2 peak
    3. Milling Rate : 300 microns per hour on silicon at 8.0kV
    4. 최대 specimen 크기 : 10mm(W) x 10mm(L) x 4mm(T)
    5. Milling Angle : ±10°
    6. Poilshing 가스 : Argon

  • 용도
    금속, 재료, 신소재, 반도체 시료에서 이미지 관찰, EDS 조성분석, EBSD 결정패턴 연구의 목적으로 시편을 제작한다.
    1. EBSD용 시편 제작
    2. SEM 분석용 Cross section 시편 제작


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